半導體式壓力傳感器的結構與動作說明

●傳感器芯片的結構：

    硅芯片受壓部(硅隔膜)與通常的IC制作工藝相同,利用雜質擴散原理形成硅應變片.

    當向硅芯片施加壓力時,電阻應變片的電阻值會隨著其變形而改變,并轉換為電信號。(壓阻效應)

該應變片有靈敏系數較大的特征。(相對于金屬應變片的2-3,硅應變片為幾10～100)。

因此能夠得到較高的輸出,從而使隔膜的厚度可以制作得更大,提高了壓力傳感器的耐壓性。

半導體式壓力傳感器如：

VDP4, VSW2 (低壓用)等

●半導體隔膜式壓力傳感器的結構與動作說明：

半導體隔膜式壓力傳感器采用雙重隔膜方式,由直接與測量介質接觸的高耐腐蝕性金屬隔膜(相當于Hastelloy哈氏合金C-22,SUS316L等)與通過封入的硅油檢測壓力的硅芯片(硅隔膜)構成。

通過壓力導入口直接與測量介質接觸的是SUS316L隔膜(或相當于Hastelloy哈氏合金C-22等) ,介質(空氣、水、油及其他)不會浸入其中，能夠穩定測量。[連接螺絲的形狀為G3/8時,與配管間采用0型圈密封(氯橡膠) 。]

●特點：

可以制作能夠測量正壓、負壓、連成壓、絕對壓力的各種傳感器元件

直接接觸介質的受壓部可以采用相當于Hastelloy哈氏合金C-22SUS316L的材料制作,因此,耐腐蝕性能優良

用于檢測壓力的硅芯片,其隔膜厚度較大,因此,具有優良的耐壓性能

●對象機型

    半導體隔膜式壓力傳感器

VESW、 VESX、 VESY、 VESZ、 VHR3 、 VHG3、 VAR3、 VAG3、

VPRNP。VPNPR， VPNPG， VNF， HSI， HV1， ASI， AV1，

NS1, NV1 , VESI, VESV, VSW2, VST等

應變片式壓力傳感器的結構與動作說明

應變片式壓力傳感器的結構與動作說明

●應變片式壓力傳感器的結構與動作說明

在受壓部金屬隔膜的內側粘貼左圖的電橋,金屬隔膜的形變會隨著壓力的施加而改變,檢測出由此帶來的電壓變化。

即使在金屬隔膜面內,形變量的大小也并不一樣,因此采用在四個位置粘電阻的結構,這樣即使形變量不均勻,也能準確地進行檢測。

●特點：

隔膜采用無焊縫及0型圈接縫的一體式結構,非常堅固,使用壽命長

支持高精度、高溫(150℃)的制作

●對象機型

應變片式壓力傳感器VSD4, NSMS-A6VB, HSSC, HSSC-A6V, VHS, VHST , HSMC2,

VPVTF. VPVQ, VPVQF, VPRF, VFM, VF, VFS. VTRF, VPRF2VPRH2等HSMC。VPE， VPB， VPRT， VPRTF， VPRQ， VPRQF， VPVT，VPVTF，VPVQ，VPVQF，VPRF，VFM，VF，VFS，VTRF，VPRF2，VPRH2等。

薄膜式壓力傳感器的結構與動作說明

薄膜式壓力傳感器的結構與動作說明

●薄膜式壓力傳感器的結構與動作說明

本公司的薄膜式壓力傳感器為隔膜式,采用金屬薄膜應變片。從壓力導入口施加壓力后,隔膜發生變形,從而使隔膜上形成的金屬薄膜應變片產生形變,檢測由此產生的電阻值變化。

與應變片式壓力傳感器相比,可獲得更高靈敏度的輸出,另外,與半導體式壓力傳感器相比,具有溫度系數小的特點。

●特點

由于溫度系數恒定,因此溫度特性非常優良

隨時間的變化較小,能夠得到長期穩定的輸出

支持高溫環境

●對象機型

.VSW2。VPG8

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測量原理

在輸入端有電流的狀態下,向金屬薄膜應變片上施加壓力,則在輸出端表現出電信號的變化。